闪存使用网格中的浮栅晶体管存储数据。写入过程中,电子通过量子隧穿效应被捕获,从而改变单元电压。擦除操作使用块级电压脉冲重置电荷。由于绝缘氧化层的存在,数据即使在断电的情况下也能保存,但反复写入会降低单···
近日,兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能,可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flas···